谢荣国
,
席珍强
,
马向阳
,
袁俊
,
杨德仁
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.010
采用HF/HNO3溶液化学腐蚀,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜,借助原子力显微镜(AFM)和X光电子谱(XPS)对其表面形貌和成分进行观察,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X＜2).采用带积分球的光度分光计,测得形成多孔硅减反射膜后,硅片表面反射率大大下降,,在波长330～800nm范围反射率只有1.5～2.9%.研究指出这种强减反射作用,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关.
关键词:
多孔硅
,
太阳电池
,
减反射膜
,
化学腐蚀
蔡红
,
沈鸿烈
,
黄海宾
,
唐正霞
,
鲁林峰
,
沈剑沧
功能材料
采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火.采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论.实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势.
关键词:
多孔硅
,
高温退火
,
拉曼谱
,
形核理论
李东海
,
胡明
,
孙凤云
,
陈鹏
,
孙鹏
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.04.017
以P+型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon),介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性.结果表明:随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-6～6×10-6)具有优异的敏感特性和响应特性.
关键词:
NO2气体传感器
,
多孔硅
,
灵敏度
,
孔隙率
解希玲
,
谭毅
,
李佳艳
,
董伟
,
刘艳娇
,
邹清川
机械工程材料
采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层，通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明：随着腐蚀时间的延长，形成的多孔硅层呈现不同的形貌，多孔壁孔径逐渐变大，少子寿命延长且电阻率增大；腐蚀14min后。多孔硅层局部区域坍塌，孔壁变薄；腐蚀11min时，经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值，分别为0．98μs和0．16Ω·cm。
关键词:
多孔硅
,
多晶硅
,
化学腐蚀
,
电阻率
,
少子寿命
赵毅
,
杨德仁
,
阙端麟
材料导报
综述了多孔硅和有机半导体复合的发光特性的研究进展,阐述了多孔硅和有机半导体复合的体系及其发光特性,详细介绍了影响多孔硅和有机半导体复合的发光特性的因素和制备多孔硅和有机半导体复合体系的方法,并讨论了多孔硅和有机半导体复合的发光特性的发光机理.最后综述了目前有待于进一步深入研究的问题及发展趋势.
关键词:
多孔硅
,
有机半导体
,
复合
,
发光特性
周咏东
,
金亿鑫
无机材料学报
用扫描电镜继续对发光多孔硅的阴极射线发光进行了系统的研究，得到了其阴极荧光发射部位、强度分布显微照片，发现在样品的表面层脱落处（暴露着多孔层大量微孔）无阴极射线发光产生，只有表面层未脱落处才有阴极射线发光；对样品的截面实验研究同样清楚地表明多孔硅样品的阴极射线发光只来源于其表面层，多孔层、硅单晶衬底区域不发生阴极射线发光．实验还提供了阴极射线发光强度在截面上随深度变化情况显微照片．阴极射线发光光谱表明其光谱峰值位置在680nm处，相似于多孔硅的光致发光．实验结果再次表明多孔硅的可见光来源于其表面层中的荧光物质．
关键词:
多孔硅
,
photoluminescence
,
cathodoluminescence
,
SEM
杨利
,
张国艳
,
周毅
,
廖怀林
,
黄如
,
张兴
,
王阳元
稀有金属材料与工程
采用电化学腐蚀的方法成功地制备了厚膜p型宏孔多孔硅.氢氟酸和二甲基甲酰胺按体积比1:4组成电化学腐蚀的溶液.通过在不同条件下制备的多组样品,得出了多孔硅生长速度与电流密度以及腐蚀厚度与腐蚀时间的函数关系.通过ESEM对所制样品进行了表面和截面形貌分析,得出30 mA/cm2～50 mA/cm2的阳极电流密度是制备高质量厚膜p型宏孔多孔硅的最佳条件.
关键词:
二甲基甲酰胺
,
多孔硅
,
电化学腐蚀
,
阳极电流密度
张华
,
李怀祥
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2002.04.008
用电阻率为80～100Ω*cm的n型硅基底制备了多孔硅(PS),将其用超声波振荡的方法分散到甲苯中制成稳定的悬浮体系.发现该体系中的多孔硅微粒可以在电场下作定向的电泳迁移,在正极上形成良好的沉积层.实验发现甲苯悬浮体系的荧光强度与浓度成良好的线性的关系,并测定了电泳沉积过程中甲苯分散体系的荧光强度与电泳沉积时间和外加电场强度的关系.用扫描电镜(SEM)对不同条件下得到的多孔硅沉积层及原生多孔硅作了形貌观察比较.用X光电子能谱(XPS)和红外透射光谱对原生多孔硅和多孔硅沉积层进行了成分分析.研究表明,多孔硅的电泳沉积可以用于微粒的可控组装方法.
关键词:
多孔硅
,
甲苯悬浮体系
,
电泳沉积
,
荧光
李佳艳
,
游小刚
,
谭毅
,
郭素霞
人工晶体学报
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅.通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理.结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致.多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.
关键词:
多孔硅
,
电化学腐蚀
,
吸杂
,
电阻率
崔昊杨
,
李宏建
,
谢自芳
,
赵楚军
,
彭景翠
材料导报
综述了几种常见的多孔硅传感器的制备方法与敏感特性,并着重对气敏、湿敏、生物敏多孔硅传感器的传感机理做了详细的介绍,论述了多孔硅传感器研究的新动向,展望了它的未来发展.
关键词:
多孔硅
,
传感器
,
光学微腔
,
电导率
,
介电常数
