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High Hole Mobility of GaSb Relaxed Epilayer Grown on GaAs Substrate by MOCVD through Interfacial Misfit Dislocations Array

通过对Cu/Ni多层膜纳米压痕过程的二维分子动力学模拟,研究了失配位错对多层膜力学性能的影响.结果表明,失配位错网对滑移位错的阻碍作用使Cu/Ni多层膜得以强化,并且这种强化作用依赖于多层膜的调制波长(相邻两膜层的厚度之和).当调制波长大于临界值λc时,失配位错的应力场随膜层厚度变化不大;当调制波长...

关键词: 多层膜 , 失配位错 , 分子动力学 , 纳米压痕

旋转晶界角对孪晶铜力学性能影响的模拟研究

邹蓉 , 徐建刚 , 宋海洋 , 席欢 , 李国辉

兵器材料科学与工程

采用分子动力学模拟方法研究了旋转晶界角对铜孪晶纳米线拉伸加载下力学性能的影响.模拟采用多体紧束缚势函数描述铜原子间的相互作用.通过模拟结果,分析了单晶铜和孪晶铜之间的差异,以及不同旋转晶界角的铜孪晶纳米线的位错成核机制.结果表明:随着旋转晶界角的增加,铜纳米线的屈服强度减弱;当旋转晶界角较小时,界面...

关键词: 分子动力学模拟 , 铜孪晶纳米线 , 旋转晶界角 , 失配位错 , 力学性能

Cu/Ni多层膜中交变应力场对可动位错的制约

程东 , 严志军 , 严立

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.02.002

Cu/Ni多层膜的强化作用来自于多层膜结构中交变应力场对位错运动的约束.该交变应力场主要包括两部分:在共格界面处由于剪切模量差而导致的镜像力,以及多层膜内由于晶格常数差而形成失配位错网的应力.如果位错在膜层内运动的临界应力值小于交变应力场的约束,位错会被限制在单层膜内运动,多层膜被强化;反之,则位错...

关键词: 多层膜 , 失配位错 , 分子动力学 , 交变应力场

Cu/Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟

程东 , 严志军 , 严立

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.12.010

运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律,探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律.结果表明:Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展,阻碍作用主要来自于两个方面:界面失配位错网对位错运动的排斥阻力使其难以到达或穿过界面;由弹性模量差而产生的...

关键词: Cu/Ni多层膜 , 分子动力学模拟 , 失配位错 , 镜像力

Cu/MgO界面位错的高分辨电子显微镜研究

刘红荣 , 蔡灿英 , 杨奇斌 , 王岩国

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.03.002

用高分辨透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究,观察到了取向关系相同的两种不同界面.并运用近重位点阵模型对其界面结构进行了研究,求出了失配位错的3个Burgers矢量和次级位错的3个Burgers矢量,它们分别为:b3=1/4[011]MgO,b2=1/2[100]Cu,b3=1/4...

关键词: Cu/MgO界面 , 近重位点阵 , 失配位错

Cu/Ni多层膜强化机理的分子动力学模拟

程东严志军严立

金属学报

运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律, 探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律. 结果表明: Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展, 阻碍作用主要来自于两个方面: 界面失配位错网对位错运动的排斥阻力使其难以到达或穿过界面; 由弹性模...

关键词: Cu/Ni多层膜 , molecular dynaminc simulation , Misfit Dislocation , Image Force

Cu/Ni多层膜中交变应力场对可动位错的制约

程东 , 严志军 , 严立

金属学报

Cu/Ni多层膜的强化作用来自于多层膜结构中交变应力场对位错运动的约束.该交变应力场主要包括两部分:在共格界面处由于剪切模量差而导致的镜像力, 以及多层膜内由于晶格常数差而形成失配位错网的应力. 如果位错在膜层内运动的临界应力值小于交变应力场的约束, 位错会被限制在单层膜内运动, 多层膜被强化; 反...

关键词: 多层膜 , null , null , null