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AgGaS2晶体生长成核研究

李一春 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 张伟 , 刘敏文 , 刘娟 , 陈宝军 , 张建军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.024

本文在对红外非线性光学材料AgGaS2的DTA谱线进行分析的基础上,对AgGaS2的结晶习性进行了研究.对传统的Bridgman-Stockbarger法进行了改进,设计出新的三温区立式炉,炉内温度梯度达到生长晶体的要求.根据自发成核的几何淘汰理论,针对AgGaS2的结晶特点,设计出适宜的石英生长安瓿,形状能够满足AgGaS2晶体结晶习性的需要,成功地生长出完整性较好的尺寸达10mm×25mm的AgGaS2单晶体.

关键词: 红外非线性光学材料 , 硫镓银 , 晶体生长 , 温度梯度 , 安瓿设计

ZnGeP2单晶生长与安瓿设计研究

梁栋程 , 赵北君 , 朱世富 , 陈宝军 , 何知宇 , 范强 , 徐婷

人工晶体学报

根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为:安瓿长径比6~7,籽晶袋长度≥25 mm,安瓿主体与籽晶袋之间的放肩角在25°左右.在上述生长安瓿中,采用改进的垂直布里奇曼法,分段控制下降速率,成功生长出尺寸为22 mm×40 mm的ZnGeP2单晶.对晶体进行X射线分析,获得(204)面单晶衍射谱和回摆谱,衍射峰峰形尖锐无劈裂,回摆谱对称性好,半峰宽为0.063 °;晶片在2~12 μm波段范围内的红外透过率达50%以上.实验结果表明,研究设计的生长安瓿适合于磷锗锌单晶生长,能够获得较高质量的单晶体.

关键词: 磷锗锌 , 安瓿设计 , XRD分析 , IR透过谱

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