王亚东
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黄靖云
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叶志镇
,
汪雷
,
马德群
,
赵炳辉
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.009
本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.
关键词:
超高真空化学气相沉积
,
实时B掺杂
,
硅外延
