陈刚
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.12.008
结合多年镀铬生产的实际情况,提出了一种室温装饰镀铬工艺.几年生产实践表明,该工艺与一般镀铬工艺及其它镀铬工艺比较起来,质量稳定,维护简单,且节约了成本.列出了该工艺与标准镀铬、某高速装饰镀铬等3种工艺的工艺规范并进行了说明.对该工艺的镀液维护及注意事项、一般故障及排除、应用情况进行了介绍.测试了镀液的分散能力及覆盖能力,最终确定电流密度范围为10~20 A/dm2.该工艺适合各种装饰镀铬件.
关键词:
镀铬
,
室温
,
装饰
,
镀液维护
,
故障排除
,
分散能力
,
覆盖能力
袁诗璞
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.12.012
表面处理工艺中"室温"是一个很模糊的概念,一般理解为"工艺槽液既不用加热也不用降温".但中国不同地区温差大,有些地区一天温差也大,许多室温工艺实际上适应不了如此.宽的温度范围.举例说明了几个液温高时不宜采用的几个工艺(如硫酸盐酸性光亮镀铜、锌酸盐镀锌等)和液温低时不宜采用的工艺(如室温除油工艺、室温磷化工艺).建议最好对液温标明温度使用上下限,并提出液温过高或过低时的应对措施.
关键词:
表面处理
,
室温
,
镀铜
,
镀锡
,
镀锌
,
除油
,
磷化
刘龙江
,
黄遥
,
唐芳
,
陈晓春
材料导报
在室温条件下,分别以硝酸银和氯化钠为银源与氯源,采用直接化学沉淀法进行合成,获得了稳定的氯化银粉末.采用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)分析测试技术对氯化银粉末物相和微观结构进行袁征,实验结果表明,合成的样品均为氯化银,无单质银存在,并且氯化银颗粒平均尺寸为110 nm左右.
关键词:
氯化银
,
纳米粒子
,
直接化学沉淀法
,
室温
盘艳红
,
杜军
,
李文芳
,
穆松林
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.03.012
室温下,以Ce(NO3)3为主盐、KMnO4为氧化剂、氟化物为成膜促进剂在AZ91镁合金表面制备了Ce-Mn复合转化膜,分析了化学转化处理不同时间形成的转化膜的微观形貌和成分,研究了转化膜的耐腐蚀性能.结果表明:氟化物的加入可实现室温下快速成膜,膜层主要由Al,Ce,Mn和O元素组成,宏观上完整均匀,但存在微观裂纹;处理2 min所得的转化膜表现出较好的耐腐蚀性能,其自腐蚀电流密度比镁合金基材降低了1个数量级.最后,探讨了成膜机制及膜层的耐蚀机理.
关键词:
镁合金
,
Ce-Mn转化膜
,
耐蚀性
,
室温
吴培弟
,
周斌
,
杜艾
,
张志华
,
吴广明
,
沈军
新型炭材料
与传统炭气凝胶制备不同,在室温条件下以乙腈为溶剂,间苯二酚和甲醛为前驱体,盐酸为催化剂,采用溶胶-凝胶、超临界干燥结合高温炭化工艺制备炭气凝胶(密度低至约50mg·cm-3).红外光谱、比表面积和孔径分布、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射等测试表明,所制炭气凝胶是一种类石墨结构的非晶态材料,具有纳米骨架网络结构,比表面积达1300m2·g-1.对比不同配比气凝胶的SEM发现,气凝胶的颗粒尺寸为40nm~70nm.分析溶胶-凝胶过程中的温度变化和乙腈在凝胶化中作用得知,由于盐酸的催化和反应放热共同作用,实现了室温下间苯二酚和甲醛的加成和缩聚反应,并最终形成凝胶;乙腈在反应中起着一种分散剂的作用.
关键词:
炭气凝胶
,
室温
,
乙腈
,
反应热
陆军
,
王建朝
,
王书海
,
赵美峰
,
黄严
材料保护
为了进一步了解非水体系中稀土元素Ce的电化学性质及稀土合金膜的电沉积制备情况,通过循环伏安法、单电位阶跃计时电流法、塔菲尔极化曲线法研究了无水乙醇中Ce (Ⅲ)在Cu电极上室温下的电化学性质,通过恒电位电沉积法在Cu片上制备了Ce-Ni-B合金膜.结果表明:Ce(Ⅲ)在Cu电极上的电化学反应是一步不可逆的反应,此过程受扩散控制;Ce (Ⅲ)在Cu电极上是按三维模式在扩散控制下连续成核的;恒电位电沉积的Ce-Ni-B合金膜具有黑色的金属光泽,且表面均匀、致密、附着力好,Ce的质量分数为2.63%,Ni的质量分数为75.26%.
关键词:
Ce
,
电化学性质
,
室温
,
无水乙醇
,
成核机理
,
Ce-Ni-B合金膜
王子生
,
胡秀坤
,
吴琼
,
徐美华
电镀与涂饰
采用溶胶-凝胶技术结合旋涂法,以聚乙烯醇作为鳌合剂,选择适当的退火程序,制备了由金属Ag相和Fe3O4相所组成的Agx(Fe3O4)1-x=0,0.1,0.2,0.3)复合薄膜.磁力显微镜观察表明,Fe3O4晶粒为单畴颗粒,其直径为75~85 nm,小于理论计算的单畴,临界尺寸.磁性测量表明:x=0.1和0.3薄膜的矫顽力坼分别为23.1 kA/m和28.6 kA/m,很接近于Fe3O4的磁晶各向异性场HK(27.1 KA/m).室温(300K)下,x=0.1的薄膜具有最大的磁电阻,700 kA/m磁场下为-3.5%,高于纯Fe3O4薄膜的低场磁电阻(-2.2%).随着Ag含量进一步增加,薄膜的室温磁电阻减小.适量金属Ag的掺入有利于提高Fe3O4薄膜的磁电阻,这归因于自旋极化电子在Fe3O4晶粒和Ag颗粒界面处的自旋相关散射以及穿过Fe3O4-Fe3P4晶界的自旋极化隧穿的共同作用.
关键词:
磁铁矿
,
掺银
,
非本征磁电阻效应
,
室温
,
单畴
,
溶胶-凝胶法
高道江
,
肖定全
,
余萍
,
赖欣
,
毕剑
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.04.006
为了研究电化学工艺条件对制备的BaWO-4薄膜影响,探讨BaWO-4薄膜的成膜反应机制,采用室温恒电流电化学方法直接在钨片基体上制备了白钨矿结构的BaWO-4晶态薄膜.通过XRD、SEM、XPS技术对制备的BaWO-4薄膜进行了表征.结果表明:制备的BaWO-4薄膜表面均匀致密、为四方单相结构;制备BaWO-4薄膜适宜的电化学反应工艺参数为:电流密度 1 mA/cm2,电解液的pH值为13,电化学处理时间为1 h.
关键词:
BaWO-4薄膜
,
电化学制备
,
室温
,
表征