王桂英
,
彭振生
,
唐永刚
,
刘鹏
,
牛晓飞
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.02.009
用固相反应法制备La_(0.5)Sm_(0.2)Sr_(0.3)MnO_3/(Ag_2O)_(x/2)(x=0.00,0.04,0.08,0.25,0.30)样品,通过X射线衍射谱线(XRD),扫描电子显微镜(SEM)照片及SEM能谱(EDS),p-T曲线,研究样品的输运行为及磁电阻效应.结果表明:少量掺杂时Ag全部挥发.掺杂量较多时,挥发后多余的Ag主要以金属态包覆在母体颗粒的表面,使体系形成两相复合体.掺Ag为30%摩尔比时,样品的电阻率较低掺杂样品的电阻率降低一个数量级,在300 K、0.5 T磁场下,磁电阻明显增强,达到9.4%,这与颗粒母体界面结构的改善有关,也与材料电阻率的降低有关.
关键词:
室温低场磁电阻
,
晶界磁电阻
,
二相复合体
,
钙钛矿锰氧化物
王桂英
,
彭振生
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唐永刚
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刘鹏
,
牛晓飞
低温物理学报
用固相反应法制备La0.5Sm0.2Sr0.3MnO3/(Ag2O)x/2(x=0.00,0.04,0.08,0.25,0.30)样品,通过M～T曲线,P～T曲线,P～T拟合曲线,研究样品的磁性质、输运行为、输运机制及磁电阻效应.结果表明:少量掺杂时Ag可能参与反应.掺杂量较多时,Ag主要以金属态分离到母体颗粒的界面处,使体系形成两相复合体,少量的Ag掺杂可以明显提高自旋相关散射产生的晶界磁电阻,掺Ag为30%摩尔比时,样品的电阻率较低掺杂样品的电阻率降低一个数量级,在300K、0.5T磁场下,磁电阻明显增强,达到9.4%,这与颗粒母体界面结构的改善有关,也与材料电阻率的降低有关.
关键词:
室温低场磁电阻
,
晶界磁电阻
,
二相复合体
,
钙钛矿锰氧化物
