王思聪
,
季凌飞
,
吴燕
,
张永哲
,
闫胤洲
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.001179
碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点,所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力.本文综述了国内外SiC发光性质的研究现状,介绍SiC发光的实际应用,阐述了单晶、纳米晶和薄膜不同形态SiC的制备方法及发光特点,并对SiC发光调控的研究进展进行了探讨与展望.利用新兴技术手段,可实现对SiC发光光谱和发光效率等性质的调控.
关键词:
碳化硅
,
宽禁带半导体
,
发光
,
发光调控
张俊刚
,
夏长泰
,
吴锋
,
裴广庆
,
徐军
,
邓群
,
徐悟生
,
史宏生
功能材料
用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.
关键词:
浮区法
,
宽禁带半导体
,
β-Ga2O3单晶
