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富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究

杨帆 , 杨瑞霞 , 陈爱华 , 孙聂枫 , 刘志国 , 李晓岚 , 潘静

人工晶体学报

采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料.分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究.结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体...

关键词: 磷化铟 , 富磷 , 液封直拉法 , 缺陷