程开甲
,
程漱玉
稀有金属材料与工程
应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性.对金属铂上的TiO2膜层来说,TFDC理论指出电子(或空穴)将由金属与膜的间界面一侧迁移到另一侧.根据Cheng-Born对称破缺理论,当能带中只有很少的电子时,则只有极少的角区中存在电子,动量空间即产生对称破缺,从而导致超导电性,并由热力学估算出薄膜超导体的转变温度.结果显示薄膜超导体的转变温度至少比块材超导体的转变温度高一个量级.作者还设计了一个研究薄膜超导电性的实验.
关键词:
超导电性
,
薄膜
,
对称破缺
,
TFDC
张志国
,
李丽
,
杨国琛
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.03.012
用解析方法研究了上、下基板锚定强度不同的弱锚定沿面排列向列液晶盒(不对称液晶盒),给出了指向矢倾角θ满足的方程和边界条件,讨论了它的解,导出Freedericksz转变的阈值场强和饱和场强.研究了由于上、下基板锚定强度不同而引起的对称性破缺,以及对称破缺和磁场强度之间的关系,发现了不对称液晶盒一些特殊的现象.作为应用的例子,讨论了一种测定基板锚定强度的新方法.
关键词:
液晶盒
,
弱锚定
,
阈值磁场
,
饱和磁场
,
对称破缺
