张丽红
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王茺
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杨杰
,
杨涛
,
杨宇
人工晶体学报
采用扫描探针显微镜(SPM),对离子束溅射自组装生长的Ge/Si量子点的电学性能进行分析.实验结果表明,施加正向偏压于圆顶形量子点上时,由于表面氧化物的生成,扫描区域的电流信号是不可恢复的.施加负向偏压时,单量子点区域的电流分布特征保持环状,且电流剖面图呈双峰结构,随着负向偏压的增大,各个电流峰顶部形状由尖锐变为截平,呈现出饱和的趋势.通过对电流值大小分布的统计,证实了Ge/Si量子点的电流传导主导机制为热电子发射.
关键词:
Ge/Si单量子点
,
导电原子力显微镜
,
偏压
,
电学特性
杨铭
,
范红玉
,
解晓东
,
郭一鸣
,
刘云鹤
,
李坤
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.428
利用低能H离子对20 MeV W6+预注入和未注入的钨样品进行辐照实验,考察H离子能量(20-520 eV)和辐照温度(673-1073K)变化对钨表面微结构的影响.采用非破坏性的导电模式原子力显微镜和扫描电镜分析预注入和未注入钨样品的表面形貌和内表面缺陷分布情况.结果表明,辐照后的样品表面出现大量的纳米尺寸凸起,高能W6+预注入的样品表面损伤要小于未注入的钨样品,意味着高能离子预注入会对材料的表面损伤起到抑制作用,但是当辐照温度高于1073 K时,这种抑制作用开始减弱.
关键词:
金属材料
,
钨
,
导电原子力显微镜
,
表面损伤
,
辐照
