向卫东
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赵斌宇
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梁晓娟
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陈兆平
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谢翠萍
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骆乐
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张志敏
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张景峰
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钟家松
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13481
采用提拉法生长了白光LED用Ce：YAG单晶，通过吸收光谱、激发发射光谱和变温光谱对其光学性能和热稳定性进行了表征，并研究了晶片用于封装白光LED光源中各因素对其光电性能的影响。Ce：YAG晶片能被466 nm波长的蓝光有效激发，产生500~700 nm范围内的宽发射带。Ce3+的4f→5d轨道的跃迁吸收对应于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五个吸收峰，据此量化分裂的5d能级能量，依次为21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。温度升高， Ce3+的2F7/2能量升高导致了发光强度的降低，可降低幅度(13.28%)不大，比肩国家标准且要优于目前商用白光光源的Ce：YAG单晶制白光LED光源的封装工艺，从芯片、驱动电流、晶片厚度和添加物四方面进行讨论。研究结果表明， Ce：YAG单晶是一种新型白光LED用荧光材料。
关键词:
白光LED
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铈掺杂钇铝石榴石
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光学性能
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封装工艺
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光电性能
