杨荣
,
李俊峰
,
钱鹤
,
韩郑生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.011
提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性:0.25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19.3 GHz和16.1 V;而0.25μm栅长的NMOS对应参数则为21.3 GHz和4.8 V;采用开发的局部介质增厚技术后,2 nH、5 nH、10 nH螺旋电感的最大品质因数分别达到了6.5、5.0、4.0,相对于不采用此技术的电感(最大品质因数分别为4.3、3.2、2.3),分别改善了77%,58%,49%.
关键词:
射频
,
绝缘硅
,
LDMOS
,
NMOS
,
电感
,
结构
,
制造
井敏
,
王成国
,
朱波
,
白玉俊
,
王延相
,
陈新谋
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2005.08.014
采用新型工艺射频直热法在碳纤维表面低温化学气相沉积SiC涂层,以达到节能、控制涂层厚度和降低成本的工业生产要求.利用XRD,EPMA,TEM研究了工艺与涂层结构关系、涂层的微观结构、拉伸和抗氧化性能.结果表明:SiC涂层在700～780℃发生结晶,提高温度或者减慢走丝速度,结晶更完善;低温沉积涂覆后纤维的拉伸性能基本不下降,低温抗氧化性能有所提高;样品的高温抗氧化性能并不理想,有待于进一步的工艺探索.
关键词:
碳纤维
,
碳化硅
,
涂层
,
射频
,
化学气相沉积
余卫华
,
于录军
冶金分析
doi:10.3969/j.issn.1000-7571.2008.07.003
利用射频辉光放电光谱仪逐层分析的特点,对钢铁表面分析的4个特殊实例进行了研究探讨.分析了镀锌板镀层中元素的组成,在质量分数-深度谱图中计算出镀锌板镀层中脆性相(γ相)的厚度;研究了镀锡板表面氧元素的深度分布,通过对比分析正常及缺陷镀锡板的辉光谱图,确定了试样表面暗黄色斑点产生的原因为镀锡层表面不够致密;建立了一种强度积分法直接对未校正元素进行半定量分析,并应用于硅钢涂层中镁元素的计算,相对标准偏差为2.41%;探讨了用能产生高能量离子的氖气作为工作气体,用于氟等难激发元素的分析测定的可行性研究,测定一种钢铁表面涂附的特氟隆涂层的厚度约为1.5 μm,克服了基于氩气为工作气体的辉光光源在分析元素方面的局限性.
关键词:
辉光放电
,
射频
,
发射光谱
,
表面分析
孙伟峰
,
叶志镇
,
赵炳辉
,
朱丽萍
材料导报
SiGe 1器件性能出色,在射频器件中的频率高达50GHz,已用于制造GSM、DCS、GPS中的LNA、PA、DACs和混频器等.为了满足将来产品更新换代和制造高尖端产品的需要,现在的一些公司(如Atmel Wireless andMicrocontrollers)已经发展了第二代Si/SiGe双极技术(SiGe2).这种高性能的新技术可使发射区的宽度降到0.5μm,输运频率fT和最大震荡频率fmax达到90GHz以上[1];5GHz和20GHz的最大稳定增益(MSG)分别为22dB和11dB.SiGe 2技术能制造出应用更加广泛的各种器件,而0.5μm CMOS技术还处于发展阶段.
关键词:
SiGe
,
双极
,
CMOS
,
射频
,
MSG
尹盛
,
曹伯承
,
赵亮
,
王敬义
功能材料
通过自行设计的冷等离子体粉粒纯化系统,将硅粉撒进辉光放电区,以Ar气为反应气体,利用鞘层区域辉光放电的冷等离子体对硅粉料的作用,进行一系列的处理后,硅粉表面形貌平整度明显提高,纯度从98.75 9,6提高到99.56%.在此基础上,设计射频感应放电等离子体的振动倾斜反应室,经实验,将硅粉纯度提高到99.96 9,6,接近太阳级硅的要求,也为该研究未来的发展提供了新的思路和理论参考.
关键词:
冷等离子体
,
冶金级硅
,
刻蚀
,
射频
郑伟绩
,
张峡
,
黄新民
,
尹全民
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.03.006
通过对新B1聚束器的介绍, 比较详细地分析了NB1腔体内部组件对谐振频率的影响, 并以此为依据, 阐述了NB1控制系统的设计应如何结合其物理特性, 最终设计出了一套实时控制系统. 该系统包含RF发射机控制系统和拖动控制系统, 均可手动和计算机对RF发射机和5个步进电机实时控制.
关键词:
新聚束器1
,
实时控制
,
射频
