石彦超
,
李彬
,
李佳君
,
左勇刚
,
白旸
,
刘浩
,
孙占峰
,
马殿理
,
陈广超
人工晶体学报
对自行设计的RF喷射等离子体增强化学气相沉积系统(RF plasma jet CVD)进行了电子温度和电子密度的模拟计算分析.在优化的参数下进行了金刚石膜体的制备,并应用光发射谱技术(OES)在线分析了等离子体的成分.通过Raman、XRD和SEM分析了沉积样品的成分、晶体结构和形貌.通过在反应气体中加入NH3,并利用载气技术将含有Ni元素的金属有机物引入到沉积区,进行了Ni、N共掺杂沉积.利用XPS以及PL谱分析了掺杂样品的化学价键和光致发光特性,结果发现Ni-N价键的存在以及在800 nm附近的光发射峰.
关键词:
化学气相沉积
,
射频喷射等离子体
,
金刚石
,
Ni-N掺杂
