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PECVD法生长氮化硅工艺的研究

吴清鑫 , 陈光红 , 于映 , 罗仲梓

功能材料

采用了等离子体增强化学气相沉积法(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件.

关键词: PECVD , 氮化硅 , 聚酰亚胺 , 残余应力 , 射频MEMS开关