李连碧
,
陈治明
,
李青民
材料科学与工艺
对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC(0001)面上外延生长的SiCGe薄膜结构进行了机理分析.SiCGe薄膜具有球形岛和三角形层状堆叠岛两种岛状结构,球形岛为金刚石型结构,而三角形层状堆叠岛则为闪锌矿型结构.认为球形岛是Ge富集后,高温析出形成的,而三角岛则是堆垛层错形成四面体的露头.生长温度的变化会引起球形岛和三角岛的相互转变,其原因主要有两方面:一方面,高温时,立方SiC相比SiCGe相更为稳定,随着温度的升高,SiCGe相逐渐向SiC相转变,替位式的Ge原子的数量会有所下降,从而使SiCFe外延层和SiC衬底间的晶格失配度减小,于是薄膜的生长模式由3D岛状变为2D生长,仅仅靠产生三角形堆垛层错释放失配应力;另一方面,生长温度越高,原子能量就越大,达到理想位置的原子比例越高,就会表现出材料本身的结构特征,而面心立方的{111}面上这种结构特征的体现就是三角形堆垛层错的产生.
关键词:
SiC
,
SiCGe
,
岛状生长
,
热壁化学气相沉积
罗炳池
,
罗江山
,
李恺
,
张吉强
,
吴卫东
,
唐永建
稀有金属材料与工程
采用真空蒸镀法制备厚度400～2100 nm、表面均方根粗糙度Rq＜6.0 nm的Be薄膜.XRD结果表明不同厚度Be薄膜均由hcp结构的(aBe)相组成.当蒸发温度从1243 K增加至1403 K时,Be原子沉积速率急剧增大,α-Be晶粒平均直径增大近3倍,其择优取向发生显著改变.薄膜表面小岛由不规则的多边形晶粒逐渐转化为棱角分明的六边形晶粒,而横截面形貌始终以柱状晶生长为主,它垂直于基片呈定向排列.此外,理论计算的Be薄膜生长速率与实验测定的结果十分吻合,它与平衡蒸气压成正比,随蒸发温度的升高而呈指数函数关系增大.
关键词:
铍薄膜
,
蒸镀
,
柱状晶
,
岛状生长
