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沉积温度对化学水浴法CdS薄膜物理性质的影响

彭星煜 , 古宏伟 , 丁发柱 , 张腾 , 屈飞 , 王洪艳

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2014.03.010

研究了化学水浴法制备的CdS薄膜微观结构与其带隙宽度的关系.采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、分光光度计、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能谱仪(EDS)等对不同沉积温度下制备的CdS薄膜的生长速率、晶体结构、光学性质、表面形貌和薄膜组分及其相互间关系进行了研究.随着沉积温度升高,薄膜沉积速率变快,H(002)晶而间距相应增加,带隙宽度逐渐下降.同时CdS薄膜的表面变得更为光滑.结合能谱分析发现,随着沉积温度上升,CdS薄膜的中硫的含量相应增加,薄膜中Cd/S原子比例更加接近于1∶1.CdS薄膜品格常数的增加造成了带隙宽度的下降.而品格常数的变化则归因于沉积温度的变化对薄膜中硫的含量的影响.沉积温度上升会促进OH-离子与硫脲的反应,加速S2-离子的释放,从而导致溶液中S2-离子浓度上升.在CdS薄膜的生长过程中会有更多硫进入到薄膜中,使得薄膜中的硫空位减少而硫空位的减少会使薄膜晶体结构更加完整,导致品格常数上升,更加接近于体材料的晶格常数.

关键词: CdS , 化学水浴法 , 沉积温度 , 带隙宽度 , 薄膜组分

Co-Se化合物薄膜的电沉积制备与表征

王博 , 刘芳洋 , 李劼 , 赖延清 , 张治安 , 刘业翔

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00403

采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜.研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响,并表征了薄膜的结构与光学性质.结果表明:Co2+受预沉积Se的表面诱导还原或直接与H2SeO3的六电子还原反应产物H2Se发生反应形成Co-Se化合物;沉积电位、沉积温度和pH值均显著影响电沉积Co-Se化合物薄膜的形貌与成分;在沉积电位为-0.5V(vs SCE)、沉积温度为50℃和pH值为2.0时可制备出表面致密平格且呈六方晶型结构的富硒CoSe薄膜,其光吸收系数达到1×105 cm-1,直接带隙宽度为(1.53±0.01)eV,接近单结太阳电池光吸收层材料的理论最佳值.

关键词: CoSe薄膜 , 循环伏安 , 欠电位沉积 , 带隙宽度 , 太阳电池

环形局域共振弹性膜结构低频隔声特性分析

张佳龙 , 姚宏 , 杜军 , 孙悦 , 孙嫣然 , 谭婧 , 张秀瑜

硅酸盐通报

针对超低空空投拉平阶段由航空发动机的噪声引起的非线性PIO (驾驶员诱发振荡)的问题,采用环形局域共振膜结构模型进行减振降噪。结合有限元法和仿真实验对环形弹性膜结构带隙生成机理、带隙宽度影响因素及隔声特性进行分析。仿真实验结果显示:带隙是由共振单元与弹性波耦合的结果,耦合强度直接影响共振频率和带隙宽度;带隙宽度和共振频率受薄膜尺寸和表面面密度的影响,即内环半径越大,表面面密度越大,带隙越宽,共振频率越高;隔声量取决于薄膜面密度、圆环面密度及中心质量环的位置。所得结果:通过优化结构参数,使其在低频范围具有良好的隔振效果,有效的抑制振荡,显著改善飞行品质。

关键词: 局域共振 , 带隙机理 , 带隙宽度 , 隔声特性

黄铜矿型三元合金CuGaTe2的热电性能

李亚鹏 , 孟庆森 , 周红 , 杨江锋 , 崔教林

功能材料

利用放电等离子烧结技术制备了三元半导体CuGaTe2.XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGaTe2,带隙宽度(Eg)约为1.0eV,与Ga2 Te3(1.65eV)的带隙相比明显变窄.在701K时电导率达到1.6×104/(Q·m).电导率的显著提高与带隙变窄密切相关.晶格热导率占总热导率(κ)的主要部分,κ值由室温时的3.64W/(m·K)降低到701K时的1.1W/(m·K),并基本符合∝T-1关系,即声子散射基本受Umklapp过程控制.在701K时该三元化合物的最大热电优值ZT为0.49,而Ga2 Te3在860K时的最大ZT值为0.16.

关键词: 热电性能 , 黄铜矿型三元合金CuGaTe2 , 带隙宽度

Co-Se 化合物薄膜的电沉积制备与表征

王博 , 刘芳洋 , 李劼 , 赖延清 , 张治安 , 刘业翔

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00403

采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜. 研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响, 并表征了薄膜的结构与光学性质. 结果表明:Co2+受预沉积Se的表面诱导还原或直接与H2SeO3的六电子还原反应产物H2Se发生反应形成Co-Se化合物; 沉积电位、沉积温度和pH值均显著影响电沉积Co-Se化合物薄膜的形貌与成分; 在沉积电位为-0.5V(<>vsSCE)、沉积温度为50℃和pH值为2.0时可制备出表面致密平整且呈六方晶型结构的富硒CoSe薄膜, 其光吸收系数达到1×105cm-1,直接带隙宽度为(1.53±0.01)eV,接近单结太阳电池光吸收层材料的理论最佳值.

关键词: CoSe薄膜 , cyclic voltammetry , under potential deposition , band gap , solar cells

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