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李东翔 , 秦秀波 , 李玉晓 , 赵博震 , 曹兴忠 , 王宝义
材料导报
综述了TiO2的基本性质,并对稀磁半导体中磁性起源的理论模型做了简单分析,同时还重点以薄膜和晶体类型的TiO2为阐述对象,讨论了过渡金属掺杂、非磁性元素掺杂和未掺杂TiO2对于探究铁磁性起源的优缺点,其中未掺杂TiO2的常温铁磁性起源与氧空位之间的关系是今后需要解决的重要问题.
关键词: 掺杂 , 常温铁磁性 , 氧空位 , d0磁性