陈吉安
,
张亚民
,
赵晓昱
,
周勇
,
周志敏
,
王明军
,
高孝裕
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2005.03.003
基于MEMS微细加工工艺,利用磁控溅射方法在Si基片上制备了不同Cu层宽度弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了Cu层宽度对多层膜的应力阻抗效应的影响.结果表明,弯曲型三明治结构多层膜的应力阻抗(SJ)效应随Cu层宽度的变化有明显的变化,在频率5MHz、基片自由端在y轴方向偏移的距离h为1500μm时,当Cu层宽度为0.4mm时,应力阻抗效应达-25%左右.
关键词:
应力阻抗
,
FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB
,
三明治薄膜
,
弯曲型结构
,
微细加工
付远
,
朱正吼
,
李晓敏
,
周佳
,
赵辉
稀有金属材料与工程
选用最大粒度为40 μm的Fe73.5Cu1Nb1.5Si13.5B9Mo1.5粉体和硅橡胶混合制备的磁性薄膜作为压磁层.同时用Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄膜作为压电层.测试频率范围从10 kHZ到1 MHz,并且压应力从0～0.14 MPa.比较了两组层合结构的微应力阻抗效应,其中包括:压磁/压电/压磁层合结构和压电/压磁/压电层合结构.结果证明两组层合结构都存在不同程度的磁电耦合效应.在压应力小于0.02MPa时,磁电耦合效应随压应力增大而增大,大于0.02 MPa时,磁电耦合效应达到极大值,同时它对微应力阻抗效应贡献不明显.因为两组层合结构具有各自不同的磁电耦合体系,压磁/压电/压磁层合结构以压磁效应影响阻抗为主而压电/压磁/压电层合结构以压电效应影响阻抗为主.
关键词:
应力阻抗
,
层状结构
,
压磁
,
压电
,
磁电耦合
陈吉安
,
茅昕辉
,
赵晓昱
,
丁文
,
曹莹
,
周勇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.005
采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1～40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.
关键词:
应力阻抗
,
FeSiB/Cu/FeSiB三层膜
,
磁控溅射
,
曲折状
