刘旭焱
,
崔明月
,
海涛
,
王爱华
,
蒋华龙
人工晶体学报
采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、...
关键词:
全局应变硅
,
纳米图形
,
应变弛豫
,
拉曼光谱
付雪涛
,
马通达
,
王书明
,
张崇宏
,
张丽卿
,
王新强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.022
利用能量为2 MeV的高能电子束对金属有机物化学气相沉积方法(MOCVD)生长的非故意掺杂氮化镓(GaN)异质结在室温下进行辐照,辐照剂量分别为1 × 1015/cm2和5×1015/cm2.经垂直于样品表面的电子辐照后,GaN外延层的(0004)和(1012)高分辨X射线衍射峰分别向高角和低角发生...
关键词:
氮化镓异质结
,
应变弛豫
,
电子辐照
,
弹性原子链模型
刘子超
,
章海霞
,
甄慧慧
,
李明山
,
尚林
,
许并社
人工晶体学报
利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响.结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达到640℃时样品中表面粗糙度及穿透位错密度达...
关键词:
AlN插入层
,
生长温度
,
AlGaN/GaN量子阱
,
应变弛豫
蔺云
,
介万奇
,
查钢强
,
张昊
,
周岩
,
汤三奇
,
李嘉伟
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.015
采用近空间升华法在 GaAs (100)衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS 的结果表明,CdZnTe 外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀；红外透过成像分...
关键词:
近空间升华法
,
CdZnTe外延厚膜
,
PL谱
,
应变弛豫
徐天宁
,
吴惠桢
,
斯剑霄
,
曹春芳
,
黄占超
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.06.013
用分子束外延技术在BaF2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/P...
关键词:
无机非金属材料
,
PbSe单晶薄膜
,
分子束外延
,
应变弛豫
,
螺旋结构
章国强
,
黄靖云
,
亓震
,
卢焕明
,
赵炳辉
,
汪雷
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.005
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.
关键词:
锗硅碳合金
,
应变弛豫
,
超高真空CVD
