王琦
,
王荣华
,
夏冬梅
,
郑有炓
,
韩平
,
谢自力
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.004
用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变sj薄膜,其霍尔迁移率明显高于相同掺杂浓度的体Si材料,电学性能得到了有效改善.
关键词:
碳化
,
SiC
,
应变Si
