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用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长

王琦 , 王荣华 , 夏冬梅 , 郑有炓 , 韩平 , 谢自力

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.004

用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此条件下外延生长了高质量的SiC薄膜.在该SiC薄膜上外...

关键词: 碳化 , SiC , 应变Si

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