丁瑞钦
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朱慧群
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曾庆光
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林民生
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冯文胜
,
梁毅斌
,
梁满堂
,
梁达荣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.031
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜.X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜.电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018 /cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成.
关键词:
磷扩散
,
p型ZnO薄膜
,
磁控溅射
,
异质ZnO p-n结
