汪雷
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.031
ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料,对短波长的光电子器件如UV探测器,LED和LD有着巨大的潜在应用.本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,薄膜呈柱状结构,晶粒大小约为100nm,晶粒内为结晶性能完整的单晶,但晶粒在C轴方向存在较大的张应力.ZnO薄膜在He-Cd激光器激发下有较强的紫外荧光发射,应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动,提高衬底温度有利于降低应力和抑制深能级的绿光发射.
关键词:
ZnO薄膜
,
张应力
,
磁控溅射
,
光致发光
郑晓敏
,
屠国青
物理测试
采用硬度分析、金相分析以及扫描电镜分析等试验方法对等速驱动轴进行了分析.结果表明:该等速驱动轴钟形壳感应淬火后回火不充分,存有较大的内应力,生产线上安装不当,产生持续的张应力最终导致氢致延迟断裂.通过改进回火工艺和安装,解决了断裂问题.
关键词:
回火不足
,
张应力
,
氢致延迟开裂