麻华丽
,
张新月
,
霍海波
,
曾凡光
,
王淦平
,
向飞
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.16.026
采用酞菁铁高温热解方法在具有微立方结构的化学镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中采用二板结构对其强流脉冲发射特性进行了研究.研究结果表明,在单脉冲发射条件下,随脉冲电场峰值的增大,Si/Ni-CNTs薄膜的发射电流峰值呈线性增加,当宏观场强达到31.4 V/μm时,发射脉冲电流的峰值可达到14.74kA,对应的发射电流密度1.23kA/cm2,在相同峰值,连续多脉冲情况下,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性,且发射性能稳定.
关键词:
强流脉冲发射
,
碳纳米管
,
微立方阵列
,
线性增加
,
稳定性
麻华丽
,
李昕
,
刘卫华
,
乔淑珍
,
张锐
,
曾凡光
,
夏连胜
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.012
为了研究缓冲层对碳纳米管薄膜(CNTs)强流脉冲发射特性的影响,采用酞菁铁高温热解方法分别在镀镍和不镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Ni - CNTs和Si - CNTs),镍层采用化学镀方法制备,强流脉冲发射特性采用二极结构在单脉冲下进行测试.实验发现,通过引入镍缓冲层,CNTs的强流脉冲发射能力显著增强.在峰值为～10.4 V/μm的脉冲场强下,平均开启电场强度从Si - CNTs的5.0V/μm下降到Ni - CNTs的4.3 V/μm,而峰值发射电流和电流密度从Si - CNTs的70A和3.5 A/cm2升高到Ni - CNTs的162 A和8.1 A/cm2,Ni - CNTs的峰值电流比Si - CNTs提高了1.3倍.
关键词:
强流脉冲发射
,
化学镀
,
Ni缓冲层
,
碳纳米管
曾凡光
,
李昕
,
左曙
,
夏连胜
,
谌怡
,
刘星光
,
张篁
,
张锐
功能材料
采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征.测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值电流分别约为117.2和720.8A.第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应,放大倍数约为6.15倍.
关键词:
热解法
,
碳纳米管薄膜
,
强流脉冲发射
,
峰值电流密度
麻华丽
,
霍海波
,
曾凡光
,
向飞
,
王淦平
人工晶体学报
为比较不同微结构对于碳纳米管冷阴极电流发射能力的增强效果,采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层在两种不同单元尺度的微结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,并在20 GW脉冲功率源系统中采用二极结构对其强流脉冲发射特性进行了比较研究.基底微结构阵列的单元尺度为10 μm×20μm(其中微锥底边长为20μm,单元节距为30 μm)和20 μm × 20 μm.结果表明:在相同的峰值电场下,基底微结构阵列的单元尺度越小,CNTs薄膜的强流脉冲发射电流越大;且随着峰值电场的增加,单元尺度越小,CNTs薄膜的发射电流的增长速度越快.
关键词:
碳纳米管
,
强流脉冲发射
,
立体微结构
,
单元尺度
麻华丽
,
霍海波
,
曾凡光
,
向飞
,
王淦平
人工晶体学报
采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层,在具有微锥结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,并采用二极结构,在20 GW脉冲功率源系统中对其强流脉冲发射特性进行了测试.结果表明:在相同的峰值电场下,CNT薄膜的发射电流峰值随基底微结构单元尺寸的减小而增大,且当脉冲电场的峰值增加时,CNT薄膜的发射电流的峰值增长速度随基底微结构单元尺寸的减小而增大.结合利用有限元分析软件ANSYS模拟计算的微锥阵列结构上表面的电场分布,研究了不同单元尺寸的微锥阵列对碳纳米管薄膜强流脉冲发射能力的影响.
关键词:
碳纳米管
,
强流脉冲发射
,
微锥阵列
,
单元尺寸
,
电场模拟
