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孔令民 , 蔡加法 , 李明 , 吴正云 , 沈文忠
量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.02.004
本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表面光伏谱进行指认,理论与实验符合得很好.
关键词: 表面光伏谱 , 应变量子阱 , 形变势模型