梁静秋
,
李佳
,
王维彪
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.004
根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构.利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16 μm×16 μm和2 μm.简述了减薄GaAs衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5 μm.采用湿法腐蚀工艺进行器件结构制备,利用不同的腐蚀剂对金属层、p-GaP层、AlGaInP层和n-GaAs衬底层进行腐蚀.实验结果表明,腐蚀后的沟槽形貌较好,其深度和宽度可以达到设计要求.
关键词:
发光二极管阵列
,
微显示器件
,
隔离沟槽
,
湿法腐蚀
