翟永清
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马健
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胡志春
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赵佳佳
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崔瑶轩
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宋珊珊
人工晶体学报
以柠檬酸为络合剂,采用微波辅助溶胶-凝胶法制备了红色荧光粉NaLa(MoO4)2∶Eu3+,运用热重-差热分析仪、红外光谱、X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计等对样品进行了分析和表征.结果表明:前驱体经700 ～900℃焙烧均能得到目标产物NaLa(Mo04) 2∶Eu3+,且具有四方晶系白钨矿结构；样品由尺寸约1～3μm类球形小颗粒组成.激发光谱在250～350 nm处有一宽的吸收带,峰值位于290 nm,属于Mo-O,Eu-O的电荷迁移带；350～ 500 nm范围内的系列尖峰是由Eu3+的4f-4f跃迁所致；发射光谱由一系列发射峰组成,主峰位于616nm处,属于5Do→+7F2电偶极跃迁发射.同时研究了焙烧温度和时间、柠檬酸和乙二醇的摩尔比,以及助熔剂等对样品发光性能的影响.
关键词:
NaLa(MoO4)2∶Eu3+
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微波辅助溶胶凝胶法
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红色荧光粉
冯颖
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童义平
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文思
人工晶体学报
本文以柠檬酸为络合剂,采用微波辅助溶胶凝胶法制备了微米粒径的Gd0.4(MoO4)3∶1.6Eu3红色荧光粉;采用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光谱仪等对样品进行了分析和表征,讨论了荧光粉的合成方法对其表面形貌和发光性能的影响.最终将该样品与InGaN芯片结合制成发光二极管.实验结果表明:采用该法合成的具有类白钨矿结构的Gd0.4(MoO4)3∶1.6Eu3+红色荧光粉为1 ～2 μm的类球状小颗粒,且颗粒均匀,具有较窄的粒度分布,有利于LED芯片涂覆.荧光光谱显示该产品在395 nm具有强吸收峰,可与近紫外InGaN芯片相匹配,是一种可用于近紫外芯片激发的白光LED红色荧光粉.与InGaN芯片结合制成的发光二极管在617 nm处发射出可被肉眼观测的强红光.
关键词:
微波辅助溶胶凝胶法
,
红色荧光粉
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白光LED
