李瀛
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陈光华
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朱秀红
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胡跃辉
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宋雪梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.03.011
采用微波ECR CVD系统制备了a-Si:H薄膜,对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况,并通过红外光谱测试进行氢含量分析.a-Si:H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响,它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键,降低薄膜的缺陷密度,从而显著提高薄膜稳定性.通过对沉积速率的研究发现,在有热丝辅助的情况下沉积速率明显提高,可达3 nm/s.实验证明,高温的热丝提高了工作气体的分解率,从而提高了薄膜的沉积速率.此外,在有热丝辅助的条件下制备出薄膜样品比没有热丝辅助条件下制备出的薄膜样品的氢含量低而且稳定性有了较大的改进.
关键词:
氢化非晶硅
,
微波ECR CVD
,
沉积速率
,
氢含量
