刘松
,
田付强
,
王毅
,
李鹏
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.02.005
通过原位聚合法制备了不同BN掺杂含量的聚酰亚胺基微纳米复合材料,使用扫描电镜、偏光显微镜、电气强度测试仪、介损及介电常数测量系统、皮安表和耐电晕老化实验装置对不同掺杂含量的微纳米复合PI薄膜的结构和电性能及耐电晕老化性能进行了研究.结果表明:随着BN微纳米颗粒掺杂量的增加,复合PI薄膜的电气强度先增大后减小,当掺杂含量为1％时,交流电气强度达到最大值219.6 kV/mm.掺杂BN后,复合PI薄膜的介电常数和介质损耗都有所增加,在高温下的电导电流小于纯PI薄膜.随着BN掺杂量的增加,复合PI薄膜的耐电晕老化性能逐步提升,在掺杂含量为20％时,复合PI薄膜的耐电晕老化时间是纯PI薄膜的116.7倍.
关键词:
聚酰亚胺
,
微纳米BN
,
电性能
,
耐电晕
