何玉平
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黄海宾
,
周浪
,
宁武涛
,
袁吉仁
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李丹
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.22.013
采用 HWCVD 法双面沉积 a-Si∶H 膜钝化n-Cz-Si 片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对 a-Si∶H 薄膜结构及钝化性能的影响.结果表明,(1)薄膜中SiH 2键相对 SiH 键含量随气压升高逐渐减少,随电流增大先减少后增大；(2)热丝衬底间距4．0 cm 相比7．5 cm沉积的 a-Si∶ H 薄膜微观结构中,SiH 2键相比SiH 键的比例更高,钝化效果也更好；(3)本文范围内,工艺参数分别为热丝衬底间距4．0 cm 时气压1．5 Pa,沉积电流21．5 A 情况下钝化效果最优,钝化后硅片的表面复合速率为2．9 cm/s.
关键词:
HWCVD
,
a-Si∶H
,
钝化
,
ε2
,
FT-IR
,
SiHn
,
微观结构参数R??
