陈玉武
,
郝秋艳
,
刘彩池
,
赵建国
,
王立建
,
吴丹
材料热处理学报
采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响.结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃ RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍.另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大.
关键词:
铸造多晶硅
,
少子寿命
,
快速热处理(RTP)
,
缺陷
蔡莉莉
,
李晶
材料导报
主要研究了1.5MeV、剂量为3.5×1017e/cm2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理,其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成.结果表明,电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成,而且经过快速热处理再加上高温一步退火,电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区,而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄.
关键词:
电子辐照
,
氧沉淀
,
快速热处理(RTP)
,
清洁区(DZ)
蔡莉莉
,
冯翠菊
,
陈贵锋
硅酸盐通报
对经过电子辐照的n型[111]晶向直拉硅样品在不同气氛下进行了热处理,对比研究了热处理气氛对电子辐照直拉硅中的缺陷形貌、间隙氧含量的变化以及清洁区的影响.实验结果表明,热处理气氛对辐照样品中的缺陷形貌影响较大:氩气氛下退火样品体内的缺陷以位错环为主而氮气氛下则主要是层错,并对此现象的机理进行了讨论;经历不同气氛快速预处理再进行高温一步退火后,辐照样品表面会产生一定宽度的清洁区,而氮气氛下清洁区宽度较窄;通过傅里叶变换红外光谱仪检测间隙氧含量的变化发现氮气氛下退火的样品间隙氧含量下降较多,说明氮气氛热处理更有利于氧沉淀的生成.
关键词:
电子辐照
,
氧沉淀
,
缺陷形貌
,
快速热处理(RTP)
,
清洁区(DZ)
王海燕
,
卢景霄
,
吴芳
,
王子健
,
张宇翔
,
靳瑞敏
,
张丽伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.034
本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为.分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果.
关键词:
氧钝化
,
快速热处理(RTP)
,
快速热氧化(RTO)
,
减反膜
花聚团
,
杨德仁
,
席珍强
,
倪利红
,
阙端麟
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2006.06.003
利用快速热处理(Rapid Thermal Processing,RTP)技术,成功制备了单晶硅太阳电池.在三个重要的热处理环节(磷扩散制作P-N结、热氧化、电极烧结)采用了快速热处理法,电极制作采用了丝网印刷.初步研究,用大面积的单晶硅片制备出转换效率为11%、开路电压为564.6 mV、短路电流密度为30.7 mA/cm2的太阳电池.
关键词:
快速热处理(RTP)
,
硅
,
太阳电池
