车丽萍
,
余永富
,
庞金兴
,
袁继祖
,
王晓铁
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2004.06.019
介绍了羟肟酸的合成方法和性质、羟肟酸作为捕收剂浮选稀土矿物的性能及羟肟酸类捕收剂在浮选中的作用机理,研究表明羟肟酸具有良好的选择性能和捕收性能,是稀土矿物的有效捕收剂.
关键词:
羟肟酸
,
稀土矿物
,
浮选
,
捕收剂
,
合成
,
性质
,
机理
曹明
,
邱藤
,
段敏
,
张胜文
,
何立凡
,
李效玉
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2012.09.017
采用具有核壳结构的丙烯酸酯乳液分别配制了水性木器清底漆和清面漆,对比研究了涂装过程中近红外干燥和室温自然干燥两种方式对涂料样板性能的影响.结果表明:近红外干燥可以解决水性木器涂料在涂装过程中干燥速率慢的问题.底漆在70℃干燥4 min即可达到室温条件下干燥6h达到的打磨性能,而面漆在70 ℃烘干6～8min得到的漆膜,其耐介质性、硬度和小分子的残余量等各项性能就可以达到室温自然干燥7d的水平;延长干燥时间至10 min,得到的面漆各性能均良好,极大地提高了水性丙烯酸酯乳液涂料的干燥效率.
关键词:
水性木器涂料
,
近红外干燥
,
丙烯酸酯乳液
,
性质
秦连杰
,
姜付义
,
孟宪林
,
徐惠忠
,
侯学元
,
祝俐
,
刘均海
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.039
Czochralski法成功生长了一系列不同Gd/Y的低掺杂Nd:YxGd1-xVO4混晶,并对它们的一些基本性质进行了比较,发现随着Gd含量的增加,晶体晶胞a, c轴常数呈线性增长,故YVO4 和GdVO4晶体可以实现无限互溶.少量Gd掺杂可使混晶晶体比热和荧光寿命增大,并有效地增强了其荧光强度.我们对该晶体的低功率泵浦下的Cr4+:YAG调Q激光性能也进行了研究,发现Nd:YxGd1-xVO4混晶具有良好调Q性能.
关键词:
Nd:YxGd1-xVO4混晶
,
晶体生长
,
性质
,
激光
,
调Q
刘伯洋
,
贾德昌
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.03.012
详细介绍了氮化硼纳米管自发现以来的研究情况,阐述了氮化硼纳米管的结构与性质,对目前已有的合成方法进行了归类与总结,同时分析了各自的优缺点,概述了其应用研究的进展情况,并提出了今后研究和应用的发展方向.
关键词:
氮化硼纳米管
,
结构
,
性质
,
合成
,
应用
吴燕
,
王凌
,
郭琳
,
高鹏举
,
章文贡
合成材料老化与应用
综述了近年来纳米管的各种制备方法、性质以及在色谱固定相、化学传感器、复合材料、电容器、储氢材料、催化剂材料、锂电池电极材料、光电材料等方面应用研究的现状与进展。同时，对纳米管广泛的应用前景进行了展望。
关键词:
纳米管
,
制备方法
,
性质
,
应用
屠海令
,
王磊
,
杜军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.04.001
金属硅化物广泛用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触,是制备纳米集成电路的关键材料之一.本文叙述了半导体集成电路用功能金属硅化物的相组成、界面反应和形成机制以及热蒸发、离子注入、溅射沉积、分子束外延等多种制备技术.比较了TiSi2,CoSi2,NiSi的材料性质及其对不同技术节点集成电路性能的影响.分析了退火温度与NiSi晶体结构和晶格常数间的关系.阐述了稀土金属硅化物的生长工艺和与硅衬底间势垒及界面特性.讨论了上述金属硅化物的性能评价与缺陷,热稳定性的检测方法.分析认为,探索32nm及以下技术节点极大规模半导体集成电路用新型金属硅化物已成为今后研究的主攻方向.
关键词:
金属硅化物
,
性质
,
检测
,
缺陷
,
硅技术
