俞文杰
,
张正选
,
张恩霞
,
钱聪
,
贺威
,
田浩
,
陈明
,
王茹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.008
通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态.随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率.模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因.
关键词:
SOI
,
总剂量辐射
,
背沟道
,
掩埋氧化层
