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部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究

贺威 , 张恩霞 , 钱聪 , 张正选

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.013

采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验.结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平.

关键词: 离子注入 , 注氧隔离 , 绝缘体上硅(SOI) , 总剂量辐射效应

Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

毕大炜 , 张正选 , 张帅

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.014

本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验.结果表明加固工艺能有效提高SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估.

关键词: SIMOX , SOI , 总剂量辐射效应 , Pseudo-MOS晶体管

总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型

贺威 , 张正选

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.020

SOI(绝缘体上硅)器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电.本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响.模拟数据和试验数据具有很好的一致性.

关键词: 埋氧层 , 绝缘体上硅 , 总剂量辐射效应 , 模型 , 背栅

SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与60Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对

田浩 , 张正选 , 张恩霞 , 贺威 , 俞文杰 , 王茹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.016

利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及60Coγ射线总剂量辐照实验.实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和.实验分析并研究了这种现象的机理,并发现在较低的辐照剂量下60Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大,但在高剂量条件下 X射线造成的漂移量将超过60Coγ射线.

关键词: 注氧隔离 , 绝缘体上硅(SOI) , 总剂量辐射效应 , MOS晶体管

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