赵旭山
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谭澄宇
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陈文敬
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刘宇
,
李劲风
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郑子樵
中国有色金属学报
利用循环伏安方法和恒电位阶跃技术研究Ni-SiC复合镀层电沉积行为.结果表明:Ni-SiC复合镀层和纯Ni镀层的形核/生长过程符合Scharifker-Hill三维成核模型;在低过电位下,Ni-SiC复合镀层形核/生长过程按三维连续成核机制;高过电位下,形核/生长过程遵循瞬时成核机制,与纯Ni镀层的形核/生长过程具有一致性;无论Ni-SiC复合镀层还是纯Ni镀层,形核弛豫时间tm随负电位的增大呈现有规律递减趋势,相应的,Im值基本相近;SiC粉体的引入导致Ni形核的过电位正移和tm的显著减小.
关键词:
电结晶
,
形核
,
循环伏安
,
恒电位阶跃
张万友
,
王冰
,
廖强强
,
周国定
腐蚀学报（英文）
doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2001.05.004
采用交流阻抗法和恒电位阶跃法研究了在硼砂缓冲溶液(pH9.2)中BTA及其系列衍生物CBTME,CBTBE对Cu电极的缓蚀行为.结果表明:BTA对Cu的缓蚀作用是由于在Cu表面上生成了Gu/Cu2O/Cu(I)BTA膜,阻滞了Cu的腐蚀,而且缓蚀剂的浓度越高,生成的Cu/Cu2O/Cu(I)BTA膜越致密,抑制作用越强.含CBTME缓蚀剂的溶液中,缓蚀效果随缓蚀剂浓度的升高而增强,但同浓度比较时,BTA的缓蚀效果优于CBTME.当溶液中含有较低浓度CBTBE时,缓蚀剂促进Cu的腐蚀;而当溶液中含有较高浓度CBTBE时,缓蚀剂才抑制Cu的腐蚀.一定比例的BTA和CBTME复配后对Cu的缓蚀作用有协同效应.以5 mg/L为缓蚀剂总量,其最佳复配方案为2 mg/LBTA+3 mg/L CBTME.恒电位阶跃法测得的结果与交流阻抗方法测得的结果相符.
关键词:
Cu缓蚀剂
,
BTA
,
协同效应
,
交流阻抗
,
恒电位阶跃
刘建华
,
杨敬武
,
唐致远
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2000.04.010
利用粉末微电极恒电位阶跃法,研究了掺杂元素对球形Ni(OH)2阳极过程和阴极过程质子扩散系数的影响. 结果表明,与纯Ni(OH)2相比,掺Co、Co+Zn、Ca后镍微电极的阳极过程质子扩散系数稍有增大,掺Zn、Fe、Mg后则有所降低,而掺杂Co、Ca后的阴极过程质子扩散系数增大约1倍,掺杂Fe、Mg后则减少约3/4倍;掺Cd对阳极和阴极过程的质子扩散系数影响均不大. 尽管掺杂元素对扩散层厚度的影响不大,但阴极过程扩散系数比阳极过程小约2 个数量级,将是影响阴、阳极电极电化学过程的重要因素.
关键词:
Ni(OH)2
,
微电极
,
恒电位阶跃
,
质子扩散系数
