王颖
,
申德振
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张吉英
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刘益春
,
张振中
,
吕有明
,
范希武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.01.003
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜.利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响.研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光峰.当经过900 ℃退火后,随着与硅悬键有关的发光峰的消失,该...
关键词:
PECVD
,
光致发光
,
Si团簇
,
悬键
