王全彪
,
杨瑞东
,
王茺
,
杨宇
材料导报
建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足函数关系T=T0+bln(F+c).
关键词:
Si薄膜生长
,
动力学蒙特卡罗
,
岛密度
,
成岛温度
王全彪
,
杨瑞东
,
杨宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.016
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1) 表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,利用该模型对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:吸附原子的扩散距离随温度的变化满足指数函数L=L0AeT/C.在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高.随入射率的减小,薄膜逐渐从离散生长向紧致生长转变,表面扩散的各向异性越显著.
关键词:
Si薄膜
,
动力学蒙特卡罗
,
扩散距离
,
成岛温度
