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王万录 , 廖克俊 , 方亮 , 王必本 , 冯斌
人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.013
本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程.在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2.研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果.
关键词: 热灯丝CVD , 金刚石薄膜 , 成电核子发射
