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蒋军 , 江炳尧 , 郑志宏 , 任琮欣 , 冯涛 , 王曦 , 柳襄怀 , 邹世昌
功能材料
利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.
关键词: 抑制电子发射 , 铪 , 离子束辅助沉积 , 钼栅极
