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SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势

肖强 , 李言 , 李淑娟

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.01.003

综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.

关键词: SiC单晶片 , 化学机械抛光 , 粗糙度 , 抛光效率

纳米CeO2颗粒的表面改性及其抛光性能研究

付银元 , 肖汉宁 , 欧阳唐哲 , 周筱桐 , 张海峰

硅酸盐通报

为改善CeO2粉体的化学机械抛光(CMP)性能,采用聚乙烯亚胺(PEI)作为分散剂,对CeO2粉体表面进行改性,通过傅立叶红外光谱(FTIR)、透射电镜显微镜(TEM)、Zeta电位仪、激光粒度仪及稳定性测试等方法分析了表面改性对CeO2颗粒表面性质及其抛光液分散稳定性的影响.结果表明:纳米CeO2粉末经PEI改性后改变了其在水中的胶体性质,Zeta电位绝对值提高,CeO2颗粒间的空间位阻增加,抛光液的分散稳定性得到了明显改善.改性后纳米CeO2抛光液对手机面板玻璃的化学机械抛光(CMP)的抛光效率(MRR)由改性前的330 nm/min增加到381.6nm/min,具有更好的抛光效果.

关键词: 氧化铈 , 表面改性 , 聚乙烯亚胺 , 抛光效率

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