李丽霞
,
刘宏
,
王继扬
,
胡晓波
,
魏景谦
,
徐丽
,
李志峰
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.01.012
用熔融退火法制备了镧填充方钴矿(LaxFe3CoSb12)多晶热电材料.用背散射方法测定了不同掺镧量晶体的拉曼光谱.我们认为晶格孔隙中镧原子的振颤运动产生了有效的声子散射并使拉曼谱线加宽.随着镧含量的增加,镧原子振颤自由度降低,谱线的加宽程度减少.
关键词:
LaxFe3CoSb12晶体
,
方钴矿
,
振颤运动
,
拉曼散射
李蜜
,
黄胜利
,
吕章明
,
张俊良
,
吴会燕
,
阮可青
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.013
通过X射线衍射,拉曼散射和红外光谱,研究了多晶Pr1-xSr1+x CoO4不同掺杂(x=0~0.5)的晶体结构.随着锶掺杂量的增加,拉曼散射谱的变化规律归因于沿c轴方向电声相互作用的增强.而红外强度随频率的相反变化来自ab面内电声相互作用的减弱.电阻率及热电势随掺杂量的增加发生了显著的变化,这是由于载流子浓度的增加.对于Pr1-xSr1+x CoO4样品,拉曼散射,红外吸收谱及电阻表现出特殊的性质.
关键词:
X射线衍射
,
拉曼散射
,
红外吸收光谱
,
电声子相互作用
高立刚
,
杨宇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.001
采用直流磁控溅射技术在不同生长温度制备了一系列的Ge薄膜.应用拉曼散射、X射线衍射、光致发光等技术表征薄膜的结构.结果表明:Ge薄膜的结晶温度约为380℃,并且随着生长温度的升高,Ge的结晶性变好,晶粒长大;对不同尺寸Ge薄膜的光致发光研究表明:随着纳米Ge晶粒尺寸的减小,光致发光峰的相对强度逐渐增强,且发光峰位发生蓝移.用有效质量近似模型讨论了量子尺寸效应和介电限域效应对纳米Ge颗粒发光特性的影响.
关键词:
磁控溅射
,
纳米Ge薄膜
,
拉曼散射
,
X射线衍射
,
光致发光
徐大庆
,
张义门
,
李培咸
,
娄永乐
,
刘树林
,
童军
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.003
通过Mn离子注入 Mg 掺杂 GaN 外延层制备了铁磁性 GaN∶Mn 薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻 Ehigh2峰。光致发光谱观察到位于1.69,2.54和2.96 eV的3个新的发光峰,分析认为2.96 eV 的发光峰来自MgGa-VN 复合体深施主能级和 Mg 的浅受主能级之间的辐射复合跃迁,2.54 eV的发光峰来自浅施主能级和深受主能级之间的辐射复合跃迁,对于位于1.69 eV的新发光峰不排除来自MgGa-VN 复合体深施主能级和Mn相关深受主能级之间辐射复合跃迁的贡献。
关键词:
GaN
,
离子注入
,
拉曼散射
,
光致发光
梁晓峰
,
王军霞
人工晶体学报
以氧氯化锆和氨水为反应原料,在醇热条件下进行了合成纳米ZrO2的实验.对甲醇、乙醇、正丁醇介质中合成的ZrO2进行了X射线衍射和激光拉曼散射表征.结果表明,在150℃,填充度为75%的醇热实验条件下合成了晶粒度为纳米级的氧化锆粉体;粉体为由四方相ZrO2和单斜相ZrO2组成的混合物;甲醇、乙醇、正丁醇介质中合成的ZrO2的拉曼活性依次增强;正丁醇中反应时间延长,合成的ZrO2的拉曼活性增强.
关键词:
纳米ZrO2
,
醇热合成
,
X射线衍射
,
拉曼散射
邱英华
,
王同华
,
宋成文
,
曲新春
新型炭材料
doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2006.02.012
采用FTIR、XRD、Raman等分析方法对在真空和氩气氛围中制备的聚丙烯腈炭膜化学结构和微晶结构的变化进行研究.结果表明,在两种氛围下PAN分子结构随着热解温度的升高由链状线型结构转变为乱层石墨结构,发生了氰基环化、脱氢、脱氮反应.PAN在真空氛围中的热解反应活化能低于氩气氛围中的活化能,说明真空氛围能够降低热解反应的温度,加速反应的进行.在真空氛围中制备的PAN炭膜微晶的La值大于氩气氛围中制备的炭膜微晶值,而d002、Lc值则小于后者,说明真空氛围下制备的炭膜微晶有序度高,结构缺陷和孔隙均小于氩气氛围下制备的炭膜.可见,热解氛围对聚丙烯腈炭膜的热解机理、化学结构和碳微晶结构有很大的影响.
关键词:
聚丙烯腈
,
真空热解
,
红外光谱
,
X射线衍射
,
拉曼散射
罗浩俊
,
胡成余
,
姚淑德
,
秦志新
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.002
在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子,然后在N2气氛下在850~1150℃之间快速退火,研究了Mg+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使GaN晶体沿着a轴和c轴方向同时膨胀.在离子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm-1和360 cm-1两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1×1014cm-2是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.
关键词:
无机非金属材料
,
p-GaN
,
离子注入
,
拉曼散射