肖祁陵
,
张萌
,
王立
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.013
通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN/Al2O3两种样品的X射线衍射分析,利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描,精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位错密度,据此提出了一种表征薄膜纵向位错密度的新方法.结果表明实验制备的GaN薄膜具有相当一致的c轴取向,对称衍射(002)面ω扫描半峰宽分别为229.8arcsec、225.7 arcsec;同时,根据倾斜对称ω扫描半峰宽分析认为样品A、B的位错密度分别约为4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,其样品A的位错密度小于样品B,但PL谱给出样品A的发光效率低于样品B;而根据不同的掠入射ω扫描推断出样品A的位错密度大于样品B,与相应的发光性能吻合.
关键词:
GaN
,
高分辨X射线衍射
,
位错密度
,
掠入射
梁旺胜
,
陶冶
,
刘红亮
物理测试
利用磁过滤阴极电弧镀在硬质合金上沉积厚度约2～3μm的TiA1N薄膜,并用MEVVA源离子对TiA1N薄膜注入金属离子V+和Nb+.应用北京同步辐射装置(BSRF)的同步辐射光源,采用掠入射X射线衍射(GIXRD)的方法对TiA1N薄膜表面离子注入层的微观结构进行分析研究.结果表明:未经过离子注入的TiA1N薄膜主要组成相是没有择优取向的Ti3AlN伴有少量A1N,而较小剂量(1×1017ions/cm2)的离子注入都可以使Ti3AlN产生(111)上的择优取向和细化晶粒,且A1N消失;当离子注入的剂量达到5×1017ions/cm2时,注入V+的Ti3AlN择优取向变为(210),并产生TiN相;注入Nb+的各个衍射峰完全消失,说明TiA1N薄膜表面离子注入层被非晶化,结合透射电镜的研究结果,观察到非晶层的厚度约为80～100 nm.
关键词:
同步辐射
,
掠入射
,
X射线衍射
,
离子注入
,
TiA1N薄膜
研究TiAlN薄膜离子注入层的微观结构梁旺胜，陶冶，刘红亮
物理测试
利用磁过滤阴极电弧镀在硬质合金上沉积厚度约2~3 μm的TiAlN薄膜，并用MEVVA源离子对TiAlN薄膜注入金属离子V+和Nb+。应用北京同步辐射装置（BSRF）的同步辐射光源，采用掠入射X射线衍射（GIXRD）的方法对TiAlN薄膜表面离子注入层的微观结构进行分析研究。结果表明：未经过离子注入的TiAlN薄膜主要组成相是没有择优取向的Ti3AlN伴有少量AlN，而较小剂量(1×1017 ions/cm2)的离子注入都可以使Ti3AlN产生（111）上的择优取向和细化晶粒，且AlN消失；当离子注入的剂量达到5×1017 ions/cm2时，注入V+的Ti3AlN择优取向变为（210），并产生TiN相；注入Nb+ 的各个衍射峰完全消失，说明TiAlN薄膜表面离子注入层被非晶化，结合透射电镜的研究结果，观察到非晶层的厚度约为80~100 nm。
关键词:
同步辐射
,
grazing incidence
,
Xray diffraction
,
ion implantation
,
TiAlN films
