林晓娉
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何丽静
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张建军
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王晓东
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王铁宝
材料热处理学报
采用离子束溅射方法在单晶Si(100)基片上沉积厚度为100nm的Al2O3薄膜,利用原子力显微镜、X射线光电子能谱、掠入射衍射等微观分析手段,研究了薄膜的表面形貌、粗糙度、成分,及退火后微观结构的变化.研究表明:室温沉积在基片上的纳米薄膜为非晶态,纳米颗粒为无方向性沉积,颗粒呈团球状,其成分基本满足Al2O3的标准成分配比.850℃×6h退火处理后,生成晶态的γ-Al2O3薄膜表面结晶完整,颗粒清晰可见.
关键词:
纳米薄膜
,
离子束沉积
,
掠入射衍射
,
退火
刘忠良
,
刘金锋
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任鹏
,
李锐鹏
,
徐彭寿
,
潘国强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.013
在衬底温度为1000℃条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜.RHEED结果显示在Si(111)上所生长的SiC薄膜为3C-SiC,并与衬底的取向基本一致.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术并结合常规X射线衍射(XRD)研究了SiC薄膜内的应变和晶体质量.常规衍射的联动扫描曲线得到薄膜处于双轴张应变状态.3C-SiC薄膜和Si衬底的晶格失配和热膨胀系数失配是导致双轴张应变的原因.根据不同角度的掠入射衍射Phi扫描的摇摆曲线结果,发现薄膜晶体质量在远离SiC/Si界面区变好.这是由于SiC薄膜中的缺陷随着远离界面逐渐减少的原因.GID和XRD的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的倾斜大于扭转,表明SiC薄膜在面内的晶格排列要比垂直方向更加有序.
关键词:
X射线衍射
,
掠入射衍射
,
硅
,
碳化硅
,
固源分子束外延
