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Yb0.3Co4Sb12/Mo-Cu热电元件的界面结构与界面电阻

唐云山 , 柏胜强 , 任都迪 , 廖锦城 , 张澜庭 , 陈立东

无机材料学报 doi:10.15541/jim20140378

通过放电等离子烧结(SPS)实现阻挡层 Ti-Al、过渡焊接层 Ni 与热电臂 Yb0.3Co4Sb12的一体化烧结,使用Ag-Cu-Zn 共晶合金完成热电元件 Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni 与 Mo-Cu 电极的钎焊连接。扫描电镜(SEM)显示出Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni/Ag-Cu-Zn/Mo-Cu 接头中各界面结合良好,无裂纹,成分分析发现 Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al 界面存在AlCo、TiCoSb及TiSb2等金属间化合物(IMC)。500℃下等温时效30 d后, Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al界面处的金属间化合物厚度无明显变化; Ag-Cu-Zn/Ni界面处Cu、Zn扩散趋于稳定, Cu-Zn扩散层厚度达到约40μm。界面接触电阻测试结果表明,等温时效前后Yb0.3Co4Sb12/Ti-Al/Ni/Ag-Cu-Zn/Mo-Cu元件的界面接触电阻率均低于10μ?·cm2。

关键词: 热电元件 , 放电等离子烧结 , 钎焊 , 接触电阻率

Au电极与CdMnTe晶体的表面接触电阻率研究

沈敏 , 张继军 , 王林军 , 闵嘉华 , 汪琳 , 梁小燕

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.08.039

采用圆形传输线模型研究了金(Au)电极与碲锰镉(CdMnTe)晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率.实验探讨了表面处理和退火对Au/CdMnTe接触电阻率的影响.结果表明,CdMnTe晶体经过化学抛光和化学机械抛光后Au/CdMnTe的接触电阻率分别为544.5和89.0Ω?cm2.通过AFM与XPS分析了晶体表面的形貌与成分,发现表面粗糙度和富Te成分对CdMnTe薄层电阻和载流子传输长度有较大的影响,决定了接触电阻率的大小.在150℃空气气氛退火1 h后,经CP和CMP表面处理的样品,Au/CdMnTe接触电阻率均减小,分别为313.6和30.2Ω?cm2.退火促进了Au向CdMnTe晶体的扩散,使接触电阻率进一步降低,欧姆接触性能提高.

关键词: 碲锰镉 , 接触电阻率 , 化学抛光 , 化学机械抛光 , 退火

GaN基器件中的欧姆接触

邵庆辉 , 叶志镇 , 黄靖云

材料导报

GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状.

关键词: 氮化镓 , 欧姆接触 , 接触电阻率

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