林荣毅
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张家芸
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张培新
中国有色金属学报
应用SEM分析测试技术, 研究了纳米CaCO3的生长特征以及反应温度、添加剂及其加入量等因素对CaCO3晶体形态和粒径的控制机理. 结果表明: 纳米CaCO3晶体的生长过程遵循MLS结晶生长模型, 随Ca(OH)2浓度的增加, CaCO3的结晶生长时间延长, 且由于碳化液粘度的增大而凝并长大; 反应温度的升高, 改变了CaCO3的晶面生长速率, 使CaCO3 粒径增大, 而且纳米CaCO3呈现出高面网密度的晶体形态; 添加剂的作用在于其电离产生的离子进入CaCO3的晶格位置, 或选择性地吸附在CaCO3的晶面上, 从而改变CaCO3 的表面能, 因此当添加剂足以包覆CaCO3晶面的活性部位时, 增加添加剂量, 不能继续抑制CaCO3的生长.
关键词:
纳米CaCO3
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生长特征
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控制机理
卢翠英
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成来飞
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赵春年
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张立同
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徐永东
材料科学与工艺
以三氯甲基硅烷和氢气为气源,研究了化学气相沉积碳化硅过程中,温度(850-1350 ℃)对沉积速率、反应物消耗效应、涂层形貌和相结构的影响.用磁悬浮天平在线实时称量基体质量变化进行动力学研究;采用扫描电镜和X射线衍射对样品做了表征.结果表明,沉积过程存在四个控制机理:a区(＜1000℃)为表面反应动力学控制;b区(1000-1050 ℃)主要是HCl对沉积的抑制作用;c区(1050-1300 ℃)是表面化学反应和传质共同控制;d(＞1300℃)为传质为限速步骤.由于不同的控制机制,导致所得涂层的形貌存在差异.含碳含硅中间物质浓度的减小、HCl增多和MTS的分解共同导致反应物消耗效应.涂层由热解碳和碳化硅两相组成,温度的升高使热解碳相减少,碳硅比接近1.
关键词:
控制机理
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碳化硅
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化学气相沉积
