冯仁华
,
张溪文
,
韩高荣
材料科学与工程学报
本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响.研究表明,与传统掺硼非品硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si:H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能E≈0.50eV、σp...
关键词:
PECVD
,
na-Si:H
,
掺杂比
,
激活能
余楚迎
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林璇英
,
姚若河
,
吴萍
,
林揆训
功能材料
用a一Si:H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件.用PCVD方法高速沉积的a-Si:H薄膜,经550℃的低温退火,可以制备平均晶粒尺寸为几百nn,最大晶粒尺寸为2μ,电导率为1.62(Ω·on)-1的优质多...
关键词:
多晶硅薄膜
,
衬底温度
,
掺杂比
,
晶化温度
,
晶粒尺寸
季云
,
史振亮
,
尹辰辰
,
郭秀斌
,
于威
,
李晓苇
人工晶体学报
采用射频磁控溅射技术,以不同Eu、Mg掺杂比的ZnO/MgO/Eu2O3陶瓷靶材,制备了Eu、Mg共掺的ZnO薄膜(ZMEO).通过X射线衍射(XRD)、Raman散射及光致发光(PL)技术研究了Eu、Mg掺杂比对ZMEO薄膜微观结构和光致发光性能的影响.结果表明:所制备的ZMEO薄膜皆为六角纤锌矿...
关键词:
ZMEO薄膜
,
磁控溅射
,
掺杂比
,
光致发光
葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
,
甘肇强
,
周咏东
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.010
用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.掺杂比从0.75%增至1.5%,膜的载流子浓度、透光率( 波长大于500nm)和光隙能相应增大...
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
