王文君
,
汪建华
,
王均涛
,
辛永磊
,
熊礼威
,
刘峰
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.02.018
利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)在钛基底上制备了掺硼金刚石(BDD)薄膜.研究了硼源浓度对BDD薄膜生长的影响.分别采用扫描电子显微镜,拉曼光谱,X射线衍射技术对薄膜的表面形貌、残余应力、择优取向及TiC含量进行了分析.结果表明,硼源浓度升高对金刚石薄膜(111)织构生长有促进作用;随着掺硼浓度的增加,TiC含量和晶粒尺寸皆减小,同时薄膜的张应力增大,缓解薄膜自身在制备过程中形成的压应力,从而更大程度上提高薄膜附着力.
关键词:
硼浓度
,
掺硼金刚石薄膜
,
钛
,
微波等离子体化学气相沉积
张胜男
,
朱宁
,
陈凯玉
,
张瑜
人工晶体学报
用直流等离子体喷射化学气相沉积法制备掺硼金刚石(BDD)薄膜,通过扫描电子显微镜表征薄膜的表面形貌.对比维生素B12、氨基黑10B和亚甲基蓝三种物质修饰BDD电极,选择电催化氧化能力最强的氨基黑10B修饰的BDD电极作为检测电极,其氧化峰电流与维生素B6浓度的对数在1.0×10-10～1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系,且检测限为1.0×10-11 mol/L.该修饰电极可用于片剂中维生素B6含量的检测.
关键词:
掺硼金刚石薄膜
,
循环伏安法
,
维生素B6
,
电催化氧化
多思
,
朱宁
功能材料
通过热丝化学气相沉积(HFCVD)的方法,以钽(Ta)为衬底,三氧化二硼(Be2O3)为硼源,制备掺硼金刚石(BDD)薄膜.并采用共价键合法进一步制得壳聚糖修饰BDD薄膜电极.以此修饰电极为工作电极,在0.1mol/L,pH=4的磷酸氢二钠缓冲液中对Cu2+进行检测.实验表明,Cu2+在4.0×10-7～1.0×10-3mol/L浓度范围内与峰电流成良好的线性关系,相关系数为0.9916,检测限达7.0×10-8mol/L.比较了不同富集方式对Cu2+的检测效果,并分别用未经修饰的BDD电极和经壳聚糖修饰的BDD电极对相同浓度的Cu2+进行电化学检测,发现不仅还原峰电流明显增大而且还原峰电位也发生偏移,这表明经化学修饰的BDD电极能更加灵敏、准确地测定Cu2+,同时也佐证了壳聚糖成功修饰在BDD电极上.
关键词:
热丝化学气相沉积
,
掺硼金刚石薄膜
,
壳聚糖
,
铜离子
高成耀
,
常明
,
沈锋英
功能材料
制作钽衬底掺硼金刚石薄膜材料电极(Ta/BDD),并利用此薄膜材料电极为工作电极通过阴极溶出伏安法检测水中的苯胺.用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法沉积Ta/BDD薄膜电极,扫描电镜和拉曼光谱表明电极具有良好的物理性质,循环扫描测试表明电极具有宽的电势窗口4.1V(-1.8～+2.3V vs SCE)和低背景电流,此特性对于电化学检测有着明显的优势.发现苯胺在氧化处理的Ta/BDD电极上有可逆的氧化还原峰,检测过程中未发生电极钝化现象.Ta/BDD电极在酸性介质中苯胺检测效果较明显,苯胺在1～40靘ol/L范围内浓度与溶出峰电流值有较好的线性关系.
关键词:
掺硼金刚石薄膜
,
电极材料
,
苯胺
,
电分析
常明
,
付威
,
陈希明
,
李晓伟
人工晶体学报
为了提高传统膜材料的抗污染能力,采用化学气相沉积法在多孔钛膜材料表面沉积了掺硼金刚石薄膜,制备出了新型BDD/Ti复合膜.对BDD/Ti复合膜在含油废水中的电化学特性进行了分析,并对其处理效果进行了评价.结果表明膜分离技术结合电化学清洁技术,提高了膜的抗污染能力,同时增强了分离效果,延长了膜的使用寿命.
关键词:
掺硼金刚石薄膜
,
膜污染
,
电化学
王玉乾
,
王兵
,
甘孔银
,
李凯
,
潘清
,
黎明
,
王延平
材料导报
掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等方面都有着巨大的应用价值,引起人们的注意.从二次电子发射的机理以及影响二次电子发射系数的因素等方面,对如何利用MPCVD法制备出高二次电子发射系数的掺硼金刚石薄膜进行了综述.论述表明通过合适的工艺条件,对薄膜表面进行适当的处理,是可以制备出高二次电子发射系数的阴极用金刚石薄膜的.
关键词:
掺硼金刚石薄膜
,
二次电子发射
,
化学气相沉积
