王希敏
,
韦建环
,
张红
,
肖卫强
,
常新安
,
臧和贵
,
张克从
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.005
采用水溶液缓慢降温法生长了掺质为乳酸、异丙醇胺、L-丝氨酸、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺TGS系列晶体,研究了晶体生长形态,测定了晶胞参数、红外光谱和热释电性能.实验结果表明,所有掺质均已进入晶体,晶体生长形态和热释电性能随着掺质种类不同而发生不同的变化.掺L-丝氨酸TGS晶体的品质因子大于纯TGS晶体.
关键词:
掺质TGS系列晶体
,
溶液晶体生长
,
生长形态
,
热释电性能
