刘欣荣
,
徐衍岭
,
杨春辉
,
徐悟生
,
王锐
,
陈刚
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.011
采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40～50 ℃/cm和17～25 ℃/cm,生长速度2～3 mm/h,转速为25～30 r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷.Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2 p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5 p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2 p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7 p.e/MeV.Cd:PbWO4晶体的平均衰减时间约为10 ns.以上结果表明,Cd:PbWO4是一种良好的闪烁晶体.
关键词:
掺镉钨酸铅晶体
,
发射光谱
,
发光效率
,
闪烁晶体
,
引上法晶体生长
