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脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器

魏星 , 乔忠良 , 薄报学 , 陈静 , 张苗 , 王曦

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.002

研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.

关键词: 湿法刻蚀 , 脉冲阳极氧化 , 斜率效率

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