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种子层厚度对以NiFeNb为新种子层的坡莫合金薄膜的零场电阻率和AMR的影响

刘俊 , 郑瑞伦 , 段昌奎 , 代波

功能材料

制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构.研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化.探讨了d 影响ρ和AMR的微观机理.

关键词: 新种子层 , 零场电阻率 , AMR